Каталог продукции
Cree - мировой лидер в области разработки и производства технологий и материалов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Кроме того, компания производит твердотельные источники света (кристаллы светодиодов) голубого, зеленого, синего и ультрафиолетового свечения, сверхъяркие светодиодные лампы, ультрафиолетовые лазерные излучатели, SiC СВЧ приборы, а также карбид-кремниевые силовые полупроводниковые приборы, включая высоковольтные диоды Шоттки. Благодаря уникальным SiC полупроводниковым технологиям, продукция CREE обладает высочайшей надежностью и недостижимыми для конкурентов электрическими характеристиками, что делает возможным ее применение как в бытовой и промышленной, так в военной и космической аппаратуре.
 | Полупроводниковые материалы Компания Cree - мировой лидер в области разработки технологий и производства материалов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Компания является ключевым поставщиком пластин монокристаллов SiC и эпитаксиальных подложек SiC и GaN диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм на мировой рынок. |  | Полупроводниковые лампы XLamp Новое направление компании Cree - Cree Lighting® - это настоящая революция в мире приборов и устройств освещения, основанных на применении твердотельных источников света. Являясь пионером в области разработки и производства новых полупроводниковых материалов, Cree создала самые яркие в мире светодиодные лампы голубого, зеленого, красного и белого цветов. |  | Кристаллы светодиодов InGaN_SiC Компания Cree – мировой лидер в производстве высокоэффективных кристаллов светодиодов. Выдающиеся характеристики светодиодов обусловлены использованием уникальных технологий InGaN эпитаксии на подложках из карбида кремния. Эта технология обеспечивает наивысшие показатели соотношения стоимость-эффективность для светодиодных источников света. |  | СВЧ компоненты Cree Компания Cree - мировой лидер в производстве нитрид галлиевых компонентов СВЧ. По многим параметрам нитрид галлий значительно превосходит полупроводниковые материалы на основе Si и GaAs, что делает его незаменимым при производстве мощных полупроводниковых приборов. |
|
