Кристаллы светодиодов InGaN_SiC

Кристаллы светодиодов InGaN_SiC
Дополнительная информация:
Публикации в прессе >>>
Информация по применению >>>

Компания Cree – мировой лидер в производстве высокоэффективных кристаллов светодиодов. Выдающиеся характеристики светодиодов обусловлены использованием уникальных технологий InGaN эпитаксии на подложках из карбида кремния. Эта технология обеспечивает наивысшие показатели соотношения стоимость-эффективность для светодиодных источников света.

Основные достоинства кристаллов Cree: электрические соединения одним проводником, низкое прямое напряжение, сверхнизкая концентрация дефектов кристалла, низкое тепловыделение, высокая устойчивость к электростатическим напряжениям, высокая надежность.

CxxxEZ1000CxxxEZ1000 - Семейство EZBright1000

EZBrightTM- новое поколение полупроводниковых мощных кристаллов светодиодов, сочетающее в себе высокую эффективность InGaN материалов и уникальный оптический дизайн, позволяющий достичь максимальной эффективности концентрации светового потока и обеспечить ламбертовское распределение излучения.

EZBright290EZBright290 - Семейство EZBright290

EZBright – новое поколение полупроводниковых излучателей, сочетающее в себе высокую эффективность InGaN материалов и уникальный оптический дизайн, позволяющий достичь максимальной эффективности концентрации светового потока и обеспечить ламбертовское распределение излучения.

EZR260EZR260 - Семейство EZR260

EZBright – новое поколение полупроводниковых излучателей, сочетающее в себе высокую эффективность InGaN материалов и уникальный оптический дизайн, позволяющий достичь максимальной эффективности концентрации светового потока и обеспечить ламбертовское распределение излучения.

© 2006-2010, ПРОСОФТ. Использование любых материалов сайта возможно только с письменного разрешения ПРОСОФТ.
Логотипы и торговые марки Cree являются собственностью компании Cree, Inc. Мы будем Вам признательны за любые предложения и замечания по работе сайта!

Тел.: (495) 232-25-22     E-mail: sale@cree.ru