Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы
Дополнительная информация:
Публикации в прессе >>>
Информация по применению >>>

Компания Cree - мировой лидер в области разработки технологий и производства материалов на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). Компания является ключевым поставщиком пластин монокристаллов SiC и эпитаксиальных подложек SiC и GaN диаметром 50,8 мм, 76,2 мм и 100,0 мм на мировой рынок.

Приборы, выполненные на основе материалов SiC и GaN компании Cree, находят применение в таких сферах, как:

  • Импульсные источники питания;
  • Гибридные двигатели;
  • Устройства связи военного и космического применения;
  • Радиолокационное оборудование.

 

Свойства и характеристики SiC

Основные преимущества SiC полупроводниковых материалов

Стандартная спецификация подложек

Характеристики подложек. Применение.

Параметры эпитаксии на SiC подложках

Материалы Cree для высококачественных электронных приборов

© 2006-2010, ПРОСОФТ. Использование любых материалов сайта возможно только с письменного разрешения ПРОСОФТ.
Логотипы и торговые марки Cree являются собственностью компании Cree, Inc. Мы будем Вам признательны за любые предложения и замечания по работе сайта!

Тел.: (495) 232-25-22     E-mail: sale@cree.ru